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我校电子科学与技术学院韩素婷副教授在《Advanced Materials》发表新成果

发布时间:2018-11-02

我校电子科学与技术学院韩素婷副教授团队最近在光电阻变存储器方面取得重大进展。研究成果“Infrared-Sensitive Memory Based on Direct-Grown MoS2–Upconversion-Nanoparticle Heterostructure”以卷首文章的形式发表在《Advanced Materials》上(Adv. Mater., 2018, 1803563)(影响因子为21.950, 中科院JCR一区,Top期刊)。该文章的第一作者为电子科学与技术学院博士后翟永彪,澳门葡京国际娱乐_新葡京游戏娱乐网站为第一单位及通讯单位https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201803563

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